Samsung Anuncia Novas Memórias de 1 TB


A Samsung anunciou um novo chip de memória interna com 1 TB de capacidade com tecnologia eUFS (sistema Universal Flash Storage embutido.

Esta nova memória de 1 TB tem as mesmas dimensões que os seus antecessores, combinando 16 camadas de memória flash V-NAND de 512 gigabits. O chip oferece velocidade de leitura sequencial de 1 gigabyte por segundo (GB/s) e de gravação sequencial de 260 MB/s; já a leitura aleatória tem velocidade de 58 mil IOPS, enquanto a gravação aleatória acontece a 50 mil IOPS.

chip oferece velocidade de leitura sequencial de 1 gigabyte por segundo (GB/s) e de gravação sequencial de 260 MB/s; já a leitura aleatória tem velocidade de 58 mil IOPS, enquanto a gravação aleatória acontece a 50 mil IOPS.

Segundo a Samsung o produto já deve estar presente nos principais topo de gama de 2019, o que indica que os novos Galaxy S10 devem vir equipados com esta memória interna.

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