A Samsung anunciou um novo chip de memória interna com 1 TB de capacidade com tecnologia eUFS (sistema Universal Flash Storage embutido.
Esta nova memória de 1 TB tem as mesmas dimensões que os seus antecessores, combinando 16 camadas de memória flash V-NAND de 512 gigabits. O chip oferece velocidade de leitura sequencial de 1 gigabyte por segundo (GB/s) e de gravação sequencial de 260 MB/s; já a leitura aleatória tem velocidade de 58 mil IOPS, enquanto a gravação aleatória acontece a 50 mil IOPS.
chip oferece velocidade de leitura sequencial de 1 gigabyte por segundo (GB/s) e de gravação sequencial de 260 MB/s; já a leitura aleatória tem velocidade de 58 mil IOPS, enquanto a gravação aleatória acontece a 50 mil IOPS.
Segundo a Samsung o produto já deve estar presente nos principais topo de gama de 2019, o que indica que os novos Galaxy S10 devem vir equipados com esta memória interna.
Comentários
Publicar um comentário